👉Flash Vs EEPROM
Flash เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้เก็บข้อมูล (Data) เรามักนิยมใช้เรียกอุปกรณ์เก็บข้อมูลแบบพกพา เช่น Flash drive
ความแตกต่างระหว่าง Flash Vs EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) ขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีในการผลิต
Flash โดยทั่วไปผลิตโดยมีโครงสร้างแบบ NAND (a combination of Not and AND) ส่วน EEPROM ซึ่งประกอบด้วย NOR (a combination of Not and OR) ซึ่งมี access time ในการเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าแต่แพงกว่า
📂ข้อแตกต่างในด้านการอ่านเขียนข้อมูล
EEPROM สามารถเข้าถึงและเขียนข้อมูลได้เป็นระดับ Byte-wise ส่วน Flash จะทำการเขียนข้อมูลเป็น Block-wise ซึ่งจะประกอบไปด้วยหลาย Byte ซึ่งเป็นปัญหาของ Flash ที่เราไม่สามารถอ่านหรือเขียนข้อมูลแบบ single byte ได้ข้อมูลใน Flash จึงจำเป็นต้องถูกสั่งอ่านมาเก็บไว้ใน RAM ก่อนการทำงาน
📂ข้อแตกต่างในหน้าที่การใช้งาน
Flash มักใช้เป็นส่วนที่เก็บข้อมูลทั่วไป มีขนาดหลากหลาย จนถึงระดับ TByte
EEPROM ถูกออกแบบมาให้ถูกใช้อ่านมากกว่าเขียน มักจะใช้เป็นต้วเก็บ permanent code และไม่เหมาะกับการเก็บข้อมูลที่ถูกเขียนบ่อยๆ
📂Flash memory ประเภทอื่น
Magneto-resistive Random Access Memory เป็นอุปกรณ์เก็บข้อมูลถาวร
ข้อดีคือ
- กินไฟต่ำ
- เข้าถึงข้อมูลได้เร็ว
- จำนวนการเขียนข้อมูลได้มาก
ข้อเสีย
- ราคาสูงต่อ Bit
- ความจุน้อย ขนาดใหญ่
https://en.wikipedia.org/wiki/Magnetoresistive_RAM
Ferroelectric RAM เป็นอุปกรณ์เก็บข้อมูลถาวรอีกแบบหนึ่งที่น่าสนใจที่สามารถเขียนข้อมูลได้มาก เหมาะสำหรับเก็บ Log files หรือ software ที่มีการอัตเดตบ่อย
ข้อดีคือ
- กินไฟต่ำ
- เข้าถึงข้อมูลได้เร็ว
- ทนต่อการแผ่รังสี radiation
ข้อเสีย
- ราคาสูงต่อ Bit
- ความจุน้อย
https://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_RAM
